D13001S データシートの表示（PDF） - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

D13001S

Environmental rated frequency amplification bipolar transistor

JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 

电特性 (Ta=25℃)

项目

符号

集电极—发射极击穿电压 V(BR)CEO

集电极—基极击穿电压

V(BR)CBO

发射极—基极击穿电压

V(BR)EBO

集电极—基极反向漏电流 ICBO

集电极—发射极反向漏电流 ICEO

发射极—基极反向漏电流 IEBO

直流电流增益

hFE

集电极—发射极饱和压降

基极—发射极饱和压降

VCE(sat)(1)

VCE(sat)(2)

VBE(sat)

下降时间

tf

贮存时间

ts

特征频率

fT

测试条件

IC=10mA, IB=0

IC=1mA, IE=0

IE=1mA, IC=0

VCB=580V, IE=0

VCE=390V, IB=0

VEB=7V, IC=0

VCE=20V, IC=20mA

IC=50mA, IB=5mA

IC=100mA, IB=10mA

IC=50mA, IB=5mA

VCC=24V IC=0.1A,

IB1=-IB2=0.02A

VCC=24V IC=0.1A,

IB1=-IB2=0.02A

VCE=10V, IC=20mA

D13001S

最小值

400

600

9

-

-

-

8

-

-

-

最大值

-

-

-

5

10

5

40

0.5

1.0

1.2

单位

V

V

V

μA

μA

μA

V

V

V

-

0.7 μS

-

4

μS

4

-

MHz

热特性

项目

结到管壳的热阻

符号

Rth(j-a)

最小值 最大值 单位

-

125 ℃/W

版本:604A

2/5

Share Link: