2SC937 データシートの表示（PDF） - Inchange Semiconductor
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
2SC937 Datasheet PDF : 2 Pages
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC937
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; RBE= ∞
500
V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.8A
5.0
V
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 2.5A; IB= 0.8A
1.8
V
ICBX
Collector Cutoff Current
VCB= 1200V; VEB= 1.5V
1
mA
IEBO
Emitter Cutoff Current
tf
Fall Time
VEB= 6V; IC= 0
IC= 2.5A, IB1= 0.8A, IB2= -1.1A;
LB= 10μH
0.2 mA
1.2 μs
isc Website：www.iscsemi.cn
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