BAV100 データシートの表示（PDF） - Galaxy Semi-Conductor
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
BAV100 Datasheet PDF : 3 Pages
| |||
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Breakdown voltage
Diode capacitance
Differential forward resistance
Reverse recovery time
Test Conditions
Symbol Min
IF=100mA
VR=50V,TJ=25℃
VR=50V,TJ=100℃
VR=100V,TJ=25℃
VR=100V,TJ=100℃
VR=150V,TJ=25℃
VR=150V,TJ=100℃
VR=200V,TJ=25℃
VR=200V,TJ=100℃
BAV100
BAV100
BAV101
BAV101
BAV102
BAV102
BAV103
BAV103
IR=100mA,tp/T=0.01,tp=0.3ms BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
VR=0,f=1MHZ
IF=10mA
IF=IR=30mA,iR=3mA,RL=100Ω
VF
-
-
-
-
-
IR
-
-
-
-
60
120
V(BR)
200
250
CD
-
rf
-
trr
-
Typ Max Unit
-
1
V
-
100 n A
-
15
µA
-
100 n A
-
15
µA
-
100 n A
-
15
µA
-
100 n A
-
15
µA
-
-
V
-
-
V
-
-
V
-
-
V
1.5
-
pF
5
-
Ω
-
50
ns
www.galaxycn.com
Document Number 0268017
BLGALAXY ELECTRICAL
2.
Share Link: 