3SK298 データシートの表示（PDF） - Hitachi -> Renesas Electronics

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

3SK298

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

Hitachi -> Renesas Electronics 

Noise Figure vs. Drain to Source Voltage

5

4

3

2

1

VG2S = 3 V

I D = 10 mA

f = 900 MHz

0

2

4

6

8

10

Drain to source voltage VDS (V)

3SK298

7

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