MPSA93 データシートの表示（PDF） - Diotec Semiconductor Germany
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
MPSA93 Datasheet PDF : 2 Pages
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MPSA92 / MPSA93
MPSA92 / MPSA93
PNP
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
Version 2005-07-04
Power dissipation
Verlustleistung
Plastic case
E BC
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
2 x 2.54
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße [mm]
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
PNP
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Base current – Basisstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
- IC
- IB
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA92
MPSA93
300 V
200 V
300 V
200 V
5V
625 mW 1)
500 mA
100 mA
-65...+150°C
-65…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, - VCB = 200 V
IE = 0, - VCB = 160 V
MPSA92
MPSA93
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0, - VEB = 3 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
MPSA92
MPSA93
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
- ICB0
- ICB0
- IEB0
- VCEsat
- VCEsat
- VBEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
250 nA
–
– 250 nA
–
– 100 nA
500 mV
–
– 400 mV
–
–
0.9 V
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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