IRF630N データシートの表示（PDF） - Inchange Semiconductor
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
IRF630N Datasheet PDF : 2 Pages
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INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRF630N
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0; ID=0.25mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID= 0.25mA
RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS=10V; ID=5.4A
IGSS
Gate Source Leakage Current
VGS=±20V;VDS=0
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=200V; VGS=0
VSD
Diode Forward Voltage
IF= 5.4A; VGS=0
MIN MAX UNIT
200
V
2
4
V
0.3
Ω
±100 nA
25
uA
1.3
V
isc Website：www.iscsemi.cn
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