BFP193W データシートの表示（PDF） - Siemens AG

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

BFP193W

NPN Silicon RF Transistor

Siemens AG 

BFP 193W

Power Gain Gma, Gms = f(VCE):_____

|S21|2 = f(VCE):---------

f = Parameter

22

IC=30mA

dB

G

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

0

2

4

6

8

Power Gain Gma, Gms = f(f)

0.9GHz

0.9GHz

1.8GHz

1.8GHz

V

12

VCE

VCE = Parameter

35

dB

G

25

IC=30mA

20

15

10

10V

1V

5

0.7V

0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 GHz 3.5

f

Intermodulation Intercept Point IP3=f(IC)

(3rd order, Output, ZS=ZL=50Ω)

VCE = Parameter, f = 900MHz

34

8V

dBm

IP3 30

5V

28

26

3V

24

22

2V

20

18

16

1V

14

12

0 10 20 30 40 50 60 mA 80

IC

Power Gain |S21|2= f(f)

VCE = Parameter

35

IC=30mA

dB

G

25

20

15

10

5

10V

2V

1V

0

0.7V

-5

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 GHz 3.5

f

Semiconductor Group

7

Dec-12-1996

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