BAT54WS_17 データシートの表示（PDF） - Diotec Semiconductor Germany
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
BAT54WS_17 Datasheet PDF : 2 Pages
| |||
BAT54WS
BAT54WS
SMD Small Signal Schottky Diodes
SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden
Version 2017-01-12
SOD-323F
1.7±0.1
Type
Code
2.5±0.2
Typical Applications
Signal processing, High-speed
switching, Polarity protection
Commercial grade 1)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Case material
Type code = S1
Solder & assembly conditions
These diodes are available in alternative case outlines
Diese Dioden sind in alternativen Gehäuseformen lieferbar
IFAV = 200 mA
VF1 < 0.24 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 30 V
IFSM = 600 mA
trr < 6 ns
RoHS
Pb
3000 / 7“
0.005 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Verpolschutz
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
SOT-23
SOT-323
= BAT54
= BAT54W
Maximum ratings 2)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
tp ≤ 10 ms
Grenzwerte 2)
Ptot
230 mW 3)
IFAV
200 mA 3)
IFRM
300 mA 3)
IFSM
600 mA
VRRM
30 V
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom 4)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Tj = 25°C
IF = 0.1 mA
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 30 mA
IF = 100 mA
Tj = 25°C VR = 25 V
VR = 0 V, f = 1 MHz
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Kennwerte
< 240 mV
< 320 mV
VF
< 400 mV
< 500 mV
< 800 mV
IR
< 2 µA
CT
10 pF
trr
< 6 ns
RthA
< 400 K/W 3)
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
Share Link: 