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BAS40 データシートの表示(PDF) - Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

部品番号
コンポーネント説明
メーカー
BAS40
GSME
Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. GSME
BAS40 Datasheet PDF : 2 Pages
1 2
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
BAS40
SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管(BAS40)
FEATURES 特點
Characteristic 特性參數
Symbol 符號 Max 最大值
Unit 單位
Power dissipation 耗散功率
PD(Ta=25)
225
mW
Forward Current 正向電流
IF
100
mA
Reverse Voltage 反向電壓
VR
Junction and Storage Temperature
結溫和儲藏溫度
TJ,Tstg
DEVICE MARKING 打標
BAS40=43
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25)
40
V
-55to+150
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓
(IR=10uA)
V(BR)
40
V
Reverse Leakage Current 反向漏電流
(VR=25V)
IR
1
uA
Forward Voltage(Test Condition)正向電壓
IF= 1mAdc
IF= 10mAdc
VF
IF= 40mAdc
Diode Capacitance 二極體電容
(VR=1V, f=1MHz)
CD
380
500
mV
1000
5
pF
Reverse Recovery Time 反向恢復時間
Trr
5
nS
SOT-23 内部结构
1

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