Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
部品番号
コンポーネント説明
2SA1020(2006) データシートの表示(PDF) - Toshiba
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
2SA1020
(Rev.:2006)
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
Toshiba
2SA1020 Datasheet PDF : 5 Pages
1
2
3
4
5
V
CE
– I
C
−
1.0
Common emitter
−
0.8
IB
= −
5 mA
Ta
=
25°C
−
10
−
20
−
40
−
80
−
120
−
0.6
−
160
−
0.4
−
200
−
0.2
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
−
2.4
−
2.8
Collector current I
C
(A)
−
1.0
IB
= −
10 mA
−
0.8
−
20
V
CE
– I
C
−
40
−
60
−
30
Common emitter
Ta
= −
55°C
−
80
−
0.6
−
120
−
160
−
0.4
−
200
−
0.2
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
−
2.4
−
2.8
Collector current I
C
(A)
2SA1020
V
CE
– I
C
−
1.0
Common emitter
−
20
−
30
−
40
−
60
Ta
=
100°C
−
0.8
IB =
−
5 mA
−
80
−
120
−
0.6
−
160
−
180
−
0.4
−
200
−
0.2
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
−
2.4
−
2.8
Collector current I
C
(A)
1000
500
300
100
50
30
h
FE
– I
C
Common emitter
VCE
= −
2 V
Ta
=
100°C
25
−
55
10
−
0.01
−
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
−
1
Common emitter
−
0.5
IC/IB
=
20
−
0.3
−
0.1
−
0.05
−
0.03
Ta
=
100°C
−
55
25
−
0.01
−
0.01
−
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
Collector current I
C
(A)
V
BE (sat)
– I
C
−
10
Common emitter
−
5
IC/IB
=
20
−
3
Ta
= −
55°C
−
1
−
0.5
25
−
0.3
100
−
0.1
−
0.01
−
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
Collector current I
C
(A)
3
2006-11-09
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]