MJD350 データシートの表示（PDF） - Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

MJD350

Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package

Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 

MJD350

Rev.E May.-2016

DATA SHEET

极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

符号

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC

PC

PC(TC=25℃ )

Tj

Tstg

数值

Rating

-300

-300

-5

-500

1.56

15

150

-55～150

单位

Unit

V

V

V

mA

W

W

℃

℃

电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)

参数

Parameter

Collector to Base Breakdown

Voltage

Collector to Emitter Breakdown

Voltage

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

VCBO IC=-0.1mA IE=0

VCEO IC=-1mA

IB=0

Emitter to Base Breakdown Voltage VEBO IC=-0.1mA IB=0

Collector Cut-Off Current

ICBO VCB=-300V IE=0

Emitter Cut-Off Current

IEBO VEB=-3V

IC=0

DC Current Gain

hFE VCE=-10V IC=-50mA

最小值 典型值 最大值 单位

Min Typ Max Unit

-300

V

-300

-5

30

V

V

-100 μA

-100 μA

240

http://www.fsbrec.com

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