2SD2150 データシートの表示（PDF） - Galaxy Semi-Conductor

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

2SD2150

LOW FREQUENCY TRANSISTER（20V， 3A）

Galaxy Semi-Conductor 

Production specification

LOW FREQUENCY TRANSISTER（20V，3A） 2SD2150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol Test conditions

MIN TYP MAX UNIT

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO IC=50μA, IE=0

40

V

Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA ,IB=0

20

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO IE=50μA, IC=0

6

V

Collector cut-off current

ICBO

VCB=30V, IE=0

0.1 uA

Emitter cut-off current

IEBO

VEB=5V,IC=0

0.1 uA

Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC/IB=2A/0.1A

0.2 0.5 V

DC current transfer ratio

hFE

Transition frequency

fT

Output Capacitance

Cob

*Measured using pulse current

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

Q

Range

120-270

VCE=2V, IC=0.1A

120

560 hFE

VCE=2V,IE=-0.5A,

f=100MHz

290

MHz

VCB=10V, f=1MHz ,IE=0A

25

pF

R

180-390

S

270-560

E031

Rev.A

www.gmicroelec.com

2

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