MBR540D データシートの表示（PDF） - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
MBR540D Datasheet PDF : 8 Pages
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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
符号
Parameter
Symbol
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
正向平均整流电流TC=100℃
Average Rectified Forward Current
IF(AV)
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
（额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法）
IFSM
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
最高结温
Maximum junction temperature
Tj
储存温度
Storage temperature range
TSTG
MBR540
数值
Value
40
单位
Unit
V
40
V
5
A
120
A
150
℃
-40~+150
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项目
测试条件
最小值 典型值
最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
Tj =25℃
50
IR
Tj =125℃
VR=VRRM
30
Tj =25℃
VF
Tj =125℃
IF=5A
0.51
0.58
0.46
0.5
单位
Unit
µA
mA
V
V
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项目
符号
Parameter
Symbol
结到环境的热阻
TO-126-2L
Thermal resistance from
junction to ambient
DO-201AD
SMB
Rth(j-a)
SMC
结到管壳的热阻
TO-126-2L
Thermal resistance from
junction to case
DO-201AD
SMB
Rth(j-c)
SMC
最小值
Value(min)
最大值 单 位
Value(max) Unit
65
70
℃ /W
140
120
1.5
25
℃ /W
40
37
版本(Rev.)：201510C
2/8
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