D2SB60 データシートの表示（PDF） - Shindengen
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
D2SB60 Datasheet PDF : 4 Pages
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Bridge Diode
D2SB60
600V 1.5A
特長
• 薄型 SIP パッケージ
• 高 IFSM
Feature
• Thin-SIP
• Large IFSM
シングルインライン型
Single In-line Package
■外観図 OUTLINE
Package：2S
Unit : mm
Weight : 2.0g（typ.）
品名
Type No.
20
ロット記号（例）
Date code
3.5
＋ 〜〜 −
① ②③ ④
D2SB
60 68
11
+ 〜〜−
級表示（例）
Class
13.5
①②③④
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection.”
■定格表 RRAATTININGGSS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl =25℃／unless otherwise specified）
項 目
Item
記号
条 件
Symbol Conditions
品 名
Type No.
D2SB60
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
I2t
50Hz 正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装，
Ta = 25℃
50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate,
Ta = 25℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
2ms≦t＜10ms，Tj = 25℃
−40〜150
150
600
1.5
80
32
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl =25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
VF
IR
θjl
θja
IF = 0.75A,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR = VRM,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
MAX 1.05
MAX 10
MAX 10
MAX 47
V
μA
℃/W
58 （J534-1）
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