2SC937 データシートの表示（PDF） - New Jersey Semiconductor
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
2SC937 Datasheet PDF : 2 Pages
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Silicon NPN Power Transistor
2SC937
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25°C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage ,lc= 10mA; RBE= °°
500
V
VcE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage lc= 2.5A; IB= 0.8A
VeE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
lc= 2.5A; IB= 0.8A
ICBX
Collector Cutoff Current
VCB=1 200V; VEB= 1.5V
IEBO
Emitter Cutoff Current
tf
Fall Time
VEB= 6V; lc= 0
lc= 2.5A, IB1= 0.8A, IB2F -1.1 A;
LB= 10|J H
5.0
V
1.8
V
1
mA
*
0.2 mA
1.2 M S
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