2SC937 データシートの表示（PDF） - Shenzhen SPTECH Microelectronics Co., Ltd.
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
2SC937 Datasheet PDF : 2 Pages
| |||
SPTECH Product Specification
SPTECH Silicon NPN Power Transistor
2SC937
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; RBE= ∞
500
V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2.5A; IB= 0.8A
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 2.5A; IB= 0.8A
ICBX
Collector Cutoff Current
VCB= 1200V; VEB= 1.5V
5.0
V
1.8
V
1
mA
IEBO
Emitter Cutoff Current
tf
Fall Time
VEB= 6V; IC= 0
IC= 2.5A, IB1= 0.8A, IB2= -1.1A;
LB= 10μH
0.2 mA
1.2 μs
SPTECH website：www.superic-tech.com
2
Share Link: 