P6SMBJ54 データシートの表示（PDF） - Diotec Semiconductor Germany
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
P6SMBJ54 Datasheet PDF : 4 Pages
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120
[%]
100
80
60
40
IPP
20
PPP
0
0 TA 50
100
150 [°C]
Peak pulse power/current vs. ambient temperature1)
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1)
1
[pF]
unidir.
bidir.
VR = 4 V
Cj
VBR
[V]
Junction capacitance vs. breakdown voltage (typ.)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Abbruchspg. (typ.)
P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA
tr = 10 µs
100
[%]
80
60
40
IPP
20
PPP
0
0
PPPM/2
IPPM/2
tP
t1
2
3
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
[ms] 4
102
[kW]
10
1
PPP
0.1
0.1µs tP 1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
TVS diodes having breakdown voltage VBR = 220 ... 550 V:
please refer to datasheet P6SMB220 ... 550CA
TVS-Dioden mit Abbruchspannung VBR = 220 ... 550 V:
siehe Datenblatt P6SMB220 ... 550CA
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4
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