HM2451 データシートの表示（PDF） - Unspecified
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コンポーネント説明
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HM2451 Datasheet PDF : 8 Pages
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FB意外下跌，SS也将跟踪FB下跌，这个功能是为了对付短路恢复情况而设计的。
当短路消除，SS斜坡上升就如同是一个重新开始的软启动过程，防止了输出电
压过冲。
热关机
热关机是为了防止芯片过热跑飞。当芯片温度高于其上限阈值，将关闭了整个芯
片。当温度低于下限阈值，热关机消除，芯片重新启用。
悬浮驱动器和自举充电
悬浮的功率MOSFET驱动器由一个外部自举电容提供电源。这个悬浮驱动器有
其自己的UVLO保护。该UVLO的打开阈值约是2.9V，回差大约300 mV。在UVLO
期间，SS电压复位为零。当UVLO移除，控制器开始软启动过程。
自举电容由内部自举稳压源充电并保持在约5V。当BST和SW之间电压低于稳压
值，一个连接VIN到BST的PMOS开关管打开，充电电流从VIN，BST然后到SW。
外部电路应该提供足够的电压余量来促进充电。
只要VIN比SW足够高，自举电容就可以充电。当功率MOSFET开通时，VIN约
等于SW，所以自举电容不能被充电。在外部续流二极管打开时，VIN到SW的差
值最大，是充电的最佳期。在电感中没有电流时，SW等于输出电压VOUT，VIN
和VOUT之间的电压可用于向自举电容充电。在较高占空比工作状态下，自举电
容充电的时间减少，自举电容可能不能有效充电。
在外部电路没有足够的电压和时间对自举电容进行充电时，在正常工作范围内，
额外的外部电路可以用来确保自举电压。
悬浮驱动器的UVLO不会传送到控制器。
悬浮驱动器的直流静态电流大约20个uA。确保SW端的供给电流高于这个数。
电流比较器和电流限制
功率MOSFET电流通过一个电流采样MOSFET准确地采样。然后送到高速电流
比较器作为电流模式控制之用。该采样电流作为电流比较器的输入之一。当功率
MOSFET打开时，比较器先是消隐然后导通以回避噪音。然后，比较器比较电
源开关电流与COMP电压，当采样电流高于COMP电压，比较器输出低，关闭功
率MOSFET。内部功率MOSFET的最大电流由内部逐周期限制。
启动和关机
当VIN和EN都高于他们对应的阈值，芯片开始工作。参考电源部分首先启动，产
生稳定的参考电压和电流。然后内部稳压源开始启用，该稳压源为其余的电路提
供稳定的电压。当内部电压到达上轨时，一个内部计时器将功率MOSFET保持
关闭50us以防止开机波动。内部软启动部分开始工作，它先保持SS输出低，确
保其余的电路准备好，然后慢慢增大。
三种情况将关闭芯片：EN低，VIN低，热关机。在关机顺序中，信号通路先封锁
以避免任何故障触发。然后COMP电压和内部电源电压下降。浮动驱动器不受制
于这个关机命令，但其充电路径被禁用了。
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