SSM6P35AFE データシートの表示（PDF） - Toshiba

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

SSM6P35AFE

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Toshiba 

SSM6P35AFE

5.4. Source-Drain Characteristics

(Unless otherwise specified, Ta = 25 )(Q1, Q2 Common)

Characteristics

Diode forward voltage

Note 1: Pulse measurement.

6. Marking

Symbol

Test Condition

(Note 1) VDSF ID = 100 mA, VGS = 0 V

Min Typ. Max Unit



0.83 1.2

V

©2017 Toshiba Corporation

4

2017-06-22

Rev.2.0

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