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BYG10K(2018) データシートの表示(PDF) - Diotec Semiconductor Germany

部品番号
コンポーネント説明
メーカー
BYG10K
(Rev.:2018)
Diotec
Diotec Semiconductor Germany  Diotec
BYG10K Datasheet PDF : 2 Pages
1 2
BYG10D ... BYG10M
BYG10D ... BYG10M
Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes
Standard Avalanche SMD-Gleichrichterdioden
IFAV = 1.5 A
VF < 1.15 V
trr < 1500 ns
VRRM = 200...1000 V
IFSM = 27/30 A
ERSM = 20 mJ
Version 2018-11-02
SMA
~ DO-214AC
5± 0.2
Typical Applications
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies, Polarity Protection
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Typische Anwendungen
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen, Verpolschutz
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Besonderheiten
Controlled avalanche characteristic
Controlled Avalanche Charakteristik
High average forward current
Hoher Dauergrenzstrom
1± 0.3
0.15
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Type
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Typ
Taped and reeled
7500 / 13“
Gegurtet auf Rolle
4.5± 0.3
Weight approx.
Case material
0.07 g
UL 94V-0
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
260°C/10s
MSL = 1
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Type
Typ
BYG10D
DC blocking voltage
Sperrgleichspannung
VDC [V] 3)
BYG10G
BYG10J/-AQ
480
BYG10K
BYG10M
Grenzwerte2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
200
Reverse avalanche breakdown voltage
Sperrspannung im Durchbruch
VRSM [V] 4)
> 250
400
> 450
600
> 650
800
> 850
1000
> 1050
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Rating for fusing
Grenzlastintegral
Non-repetitive peak reverse avalanche energy
Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TT = 100°C
IFAV
1.5 A
f > 15 Hz
TT = 100°C
IFRM
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
IFSM
t < 10 ms
i2t
5A
27 A
30 A
3.6 A2s
ERSM
20 mJ 4)
Tj -50...+150°C
TS -50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile
4 IRSM = 1 A, inductive load switch-off – IRSM = 1 A, Abschalten induktiver Last
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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