S8050 データシートの表示（PDF） - Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

S8050

Low Frequency Power Amplifier

Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 

桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

S8050

■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性

(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Test Condition

測試條件

Min. Typ. Max. Unit

最小值 典型值 最大值 單位

Collector Cutoff Current

集電極截止電流

Emitter Cutoff Current

發射極截止電流

Collector-Base Breakdown Voltage

集電極-基極擊穿電壓

ICBO

IEBO

V(BR)CBO

VCB=30V,IE=0

VEB=5V,IC=0

IC=100μA

—

—

0.1 μA

—

—

0.1 μA

40

—

—

V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

集電極-發射極擊穿電壓

V(BR)CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

發射極-基極擊穿電壓

V(BR)EBO

DC Current Gain

直流電流增益

HFE(1)

HFE(2)

IC=10mA

IE=100μA

VCE=1V,

IC=100mA

VCE=1V,

Ic=500mA

25

—

—

V

5

—

—

V

85

—

400

—

40

—

—

Collector-Emitter Saturation Voltage

集電極-發射極飽和壓降

VCE(sat)

IC=500mA,

IB=50mA

—

—

0.6

V

Base-Emitter Saturation Voltage

基極-發射極飽和壓降

VBE(sat)

IC=500mA,

IB=50mA

—

—

1.2

V

Base-Emitter Voltage

基極-發射極電壓

Transition Frequency

特徵頻率

VBE

VCE=1V,

IC=10mA

—

0.8

1.0

V

fT

VCE=5V,

IC=10mA

100

120

— MHz

Collector Output Capacitance

輸出電容

Cob

VCB=10V,IE=0,

f=1MHz

—

13

30

pF

Share Link: