2N5551 データシートの表示（PDF） - Jiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
2N5551 Datasheet PDF : 4 Pages
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Typical Characteristics
Static Characteristic
18
90uA
COMMON
EMITTER
15
80uA
Ta=25℃
70uA
12
60uA
9
50uA
40uA
6
30uA
3
IB=20uA
0
0
2
4
6
8
10
12
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
1.0
β=10
V —— I
BEsat
C
0.8
Ta=25℃
0.6
Ta=100℃
0.4
0.2
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
V —— I
BE
C
200
COMMON EMITTER
100 VCE=5V
Ta=100℃
Ta=25℃
10
100 200
500
COMMON EMITTER
VCE=5V
h ——
FE
I
C
Ta=100℃
Ta=25℃
100
10
1
0.3
β=10
0.1
10
100
200
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
V —— I
CEsat
C
Ta=100℃
Ta=25℃
0.01
1
100
10
10
100
200
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
C / C ——
ob
ib
V /V
CB
EB
Cib
f=1MHz
IE=0 / IC=0
Ta=25℃
Cob
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
BASE-EMITTER VOLTAGE VBE(V)
150
VCE=10V
Ta=25℃
f —— I
T
C
1
0.1
750
625
1
10
20
REVERSE VOLTAGE V (V)
P —— T
C
a
500
100
375
50
1
3
10
20
30
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
250
125
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃)
High Diode Semiconductor
2
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