MA729 データシートの表示（PDF） - Galaxy Semi-Conductor

部品番号

コンポーネント説明

メーカー

MA729

Schottky Barrier Diode

Galaxy Semi-Conductor 

Production specification

Schottky Barrier Diode

MA729

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Reverse Breakdown Voltage

Forward voltage

Reverse leakage current

Reverse recovery time

Total capacitance

Symbol Conditions

Min. Typ. Max. Unit

V(BR)R

IR=100μA

30

V

VF

IF=200mA

0.55 V

IR

VR=30V

IF= IR =100mA,

trr

Irr=10mA,RL=100Ω

CT

VR=0V,f=1.0MHz

50

μA

3.0

ns

30

pF

TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

B033

Rev.A

www.gmesemi.com

2

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