MA729 データシートの表示（PDF） - Diode Semiconductor Korea
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
MA729 Datasheet PDF : 3 Pages
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Diode Semiconductor Korea
Schottky Barrier Diode
MA729
Parameter
Symbol Conditions
Min. Typ. Max. Unit
Reverse Breakdown Voltage
V(BR)R
IR=10μA
30
V
Forward voltage
VF
IF=200mA
0.55 V
Reverse leakage current
Reverse recovery time
Total capacitance
IR
VR=30V
trr
IF= IR =100mA,
Irr=10mA,RL=100Ω
CT
VR=0V,f=1.0MHz
50
μA
3.0
ns
30
pF
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified
www.diode.kr
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