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2SA1162 データシートの表示(PDF) - Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

部品番号
コンポーネント説明
メーカー
2SA1162
GSME
Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. GSME
2SA1162 Datasheet PDF : 2 Pages
1 2
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMA1162(销售型號 2SA1162)
FEATURES 特點
PNP General Purpose Transistor
MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic 特性參數
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
Symbol 符號
VCEO
VCBO
VEBO
Ic
Rating 額定值
-50
-50
-5.0
-150
Unit 單位
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
Characteristic
特性參數
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
TA=25℃環境溫度爲 25
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Total Device Dissipation 總耗散功率
Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
Symbol
符號
PD
PD
RΘJA
TJ,Tstg
Max
最大值
225
1.8
300
2.4
417
Unit
單位
mW
mW/
mW
mW/
/W
-55to+150

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