Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
部品番号
コンポーネント説明
TPC8115 データシートの表示(PDF) - Toshiba
部品番号
コンポーネント説明
メーカー
TPC8115
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV)
Toshiba
TPC8115 Datasheet PDF : 7 Pages
1
2
3
4
5
6
7
I
D
– V
DS
−
10
−
1.8
−
1.65
−
2
−
2.5
−
8
−
3
−
4
−
6
−
10
−
1.6
−
1.55
VGS
= −
1.5 V
−
4
−
2
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
0
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1
Drain-source voltage V
DS
(V)
TPC8115
−
40
−
2.5
−
3
−
4.5
−
30
−
10
−
20
I
D
– V
DS
−
2
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
1.8
−
10
0
0
−
1.65
−
1.6
−
1.55
VGS
= −
1.5 V
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
GS
−
40
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
−
30
−
20
−
10
25
100
Ta
= −
55°C
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
Gate-source voltage V
GS
(V)
−
0.5
−
0.4
−
0.3
−
0.2
−
0.1
0
0
V
DS
– V
GS
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
ID
= −
10 A
−
5.0
−
2.5
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Gate-source voltage V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
1000
R
DS (ON)
– I
D
100
100
10
1
−
0.1
Ta
= −
55°C
25
100
10
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
1
−
1
−
10
−
100
−
0.1
Drain current I
D
(A)
4
VGS
= −
1.8 V
−
2.5
−
4.5
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
1
−
10
−
100
Drain current I
D
(A)
2009-03-16
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]